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Anales (Asociación Física Argentina)
versión impresa ISSN 0327-358Xversión On-line ISSN 1850-1168
Resumen
FILIPPIN, F.A; SANTOS, E y AVALLE, L.B. Evaluación de las propiedades semiconductoras de la película de óxido de titanio sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 en una solución ácida diluida. An. AFA [online]. 2017, vol.28, n.2, pp.45-49. ISSN 0327-358X.
El titanio (Ti) es un material termodinámicamente estable ante la corrosión, debido a la presencia de una película de óxido pasiva sobre su superficie formada espontáneamente. La película de óxido pasiva está compuesta de dióxido de titanio (TiO2) que puede ser formada por oxidación térmica o por anodización; estas presentan características de un semiconductor. Las propiedades semiconductoras de películas de óxido formadas anódicamente, han sido interpretadas por representaciones gráficas de Mott-Schottky. En esta presentación se utilizó el modelo de Mott-Schottky para calcular las propiedades electrónicas de la superficie semiconductora de un sustrato vidrio/Ti/TiO2 crecido potenciodinámicamente, a un potencial de formación de la película de óxido anódico de Ef = 1,85 V vs ENH (electrodo normal de hidrógeno) en 0,01M HClO4. Bajo las condiciones experimentales descritas en este trabajo el electrodo vidrio/Ti/TiO2 presenta un comportamiento de un semiconductor tipo-n y una concentración de vacantes de oxígeno del orden de 1022 cm-3. Finalmente, el óxido anódico formado sobre el sustrato vidrio/Ti/TiO2 fue estable antes y después de los ensayos realizados.
Palabras clave : Dióxido de titanio; Anodización; Mott-Schottky.